TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را در ۶ ماهه دوم سال ۲۰۲۲ آغاز خواهد کرد

کمپانی تایوانی تولیدکننده تراشه موسوم به TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را در ۶ ماهه دوم سال ۲۰۲۲ آغاز خواهد کرد. این مورد آخرین گزارش منتشر شده در خصوص پیشرفت فرآیند تولید ۳ نانومتری TSMC به‌شمار می‌رود. بعلاوه ظرفیت تولید ماهیانه این فرآیند نیز برابر با ۵۵ هزار قطعه خواهد بود. بر اساس اعلام Liu Deyin؛ ریاست TSMC با آغاز فرآیند تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری تعداد کارمندان شاغل در Tainan Science Park به حدودا ۲۰ هزار نفر خواهد رسید. تعداد کارمندان فعلی این شرکت برابر با ۱۵ هزار نفر است.

در ماه آگوست سال جاری Mi Yujie؛ معاون ارشد TSMC اعلام کرد که این کمپانی مایل است تا به توسعه و ارتقاء چشمگیر فرآیند تولید تا مقیاس ۳ نانومتری و پایین‌تر ادامه دهد. بر اساس پیش‌بینی TSMC فرآیند ۳ نانومتری جدیدترین و پیشرفته‌ترین فناوری تولید تراشه در سال ۲۰۲۲ به‌شمار خواهد رفت. مزایای این فناوری در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری نسبتا ناچیز هستند. در این‌حالت کارآیی تراشه تنها ۱.۱ تا ۱.۱۵ برابر افزایش خواهد یافت؛ در حالی‌که میزان مصرف انرژی ۱.۲۵ تا ۱.۳ برابر کاهش پیدا می‌کند. این تغییرات در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری و نه مدل ارتقایافته آن موسوم به N5P محاسبه شده‌اند.

با مقایسه کارآیی فرآیندهای ۳ نانومتری و ۷ نانومتری بایستی خاطرنشان کرد که کارآیی فرآیند N3 حدودا ۱.۲۵ تا ۱.۳۵ برابر بیش‌تر است. همچنین میزان مصرف انرژی در موارد کاربری مشابه نیز بین ۱.۵۵ تا ۱.۶ برابر کاهش یافته است. تمامی مضارب اعلام شده در این مقایسه‌ها با فرض به‌کارگیری ترانزیستورهای ایده‌آل محاسبه شده‌اند؛ پدیده‌ای که لزوما با محصولات واقعی تولید شده توسط کمپانی‌های AMD و اینتل مطابقت ندارد.

فرآیند ۳ نانومتری TSMC در عوض استفاده از فناوری GAA (ترانزیستورهای دارای اثر میدانی با ساختار پیچیده) کماکان از ترانزیستورهایی با اثر میدانی FinFET بهره‌برداری خواهد کرد. این فرآیند با فناوری مورد استفاده توسط سامسونگ متفاوت است. غول کره‌ای پیش‌تر اعلام کرد که در تولید تراشه‌های ۳ نانومتری از فناوری GAA استفاده خواهد کرد.


سامسونگ در تلاش برای پیشی گرفتن از TSMC به‌دنبال تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۲ است

سامسونگ و TSMC تنها شرکت‌هایی هستند که امکانات لازم برای تولید تراشه‌های ۵ نانومتری را در اختیار دارند. با این‌حال به‌نظر می‌رسد که سامسونگ در سایه TSMC قرار دارد؛ اما غول کره‌ای برای مقابله برنامه‌ریزی مناسبی انجام داده است. بر اساس گزارشات اخیر سامسونگ الکترونیکس تمام تلاش خود را برای رقابت با TSMC به‌کار گرفته است. کمپانی کره‌ای قصد دارد تا تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را در سال ۲۰۲۲ آغاز نماید.

پارک جائه هونگ؛ مدیر اجرایی سامسونگ الکترونیکس اخیرا در جریان برگزاری یک رویداد اعلام کرد که کمپانی تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۲ را هدف‌گذاری نموده است. بر اساس اعلام این مدیر اجرایی، کمپانی با همکاری شرکای اصلی خود مشغول توسعه ابزارهای اولیه طراحی تراشه‌های ۳ نانومتری است. در حال حاضر سامسونگ در زمینه کسب‌وکار تراشه نسل آینده خود مبلغ ۱۱۶ میلیارد دلار سرمایه‌گذاری نموده است. این کسب‌وکار شامل تولید تراشه برای مشتریان خارجی است.

لی ژای‌یونگ؛ رهبر سامسونگ الکترونیکس پیش‌تر اعلام کرد که کمپانی قصد دارد تا از جدیدترین نسل فناوری ۳ نانومتری موسوم به (Gate-All-Around (GAA بهره‌برداری نماید. این فناوری به منظور تولید تراشه‌های پیشرفته و ارائه آن‌ها به مشتریان در سراسر جهان توسعه یافته است. همان‌طور که می‌دانیم؛ سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های ۵ نانومتری را آغاز کرده و اکنون مشغول توسعه فرآیند ۴ نانومتری است. در حال حاضر سامسونگ الکترونیکس دومین کمپانی بزرگ در عرصه کسبو‌کار تراشه به‌شمار می‌رود. سال گذشته کمپانی TSMC با کسب سهم ۵۲ درصدی از بازار بالاتر از سامسونگ قرار گرفت و رتبه نخست را به خود اختصاص داد.

نوشته TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را در ۶ ماهه دوم سال ۲۰۲۲ آغاز خواهد کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

شانزده − هفت =